FDP050AN06A0

特点
R DS（ON）=4.3米W（典型值），V GS = 10V，I D = 80A
Q G（TOT）= 61nC（典型值），V GS = 10V
低米勒电荷
低体二极管
统计研究所的能力（单脉冲，重复脉冲）
合格的AEC Q101
前身发育类型82575

应用/框图（S）
电机/身体负荷控制
ABS系统
动力管理
喷射系统
DC - DC转换器和后备式UPS
分布式电源架构和VRM
主开关为12V和24V系统

应用笔记
AN - 9034：功率MOSFET雪崩准则 （372 K）8月05 2011年

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。