FDP038AN06A0

特点
R DS（ON）=3.5米W（典型值），V GS = 10V，I D = 80A
Q G（TOT）= 95nC（典型值），V GS = 10V
低米勒电荷
低Q RR体二极管
统计研究所的能力（单脉冲，重复脉冲）
合格的AEC Q101

前身发育类型82584

应用/框图（S）
电机/美体负载控制
ABS的Systemss
动力总成管理层
注射Systemss
DC - DC转换器和离线的UPS
分布式电源架构和VRMss
主开关为12V和24V系统

应用笔记
AN - 7532：一个新的PSpice子电路电热功率MOSFET （118 K）2011年8月05
AN - 7533：一个修MOSFET模型具有动态温度补偿 （129 K）2011年8月05
AN - 7534：电热功率MOSFET的一个新的PSpice子电路（125 K）8月05 2011年

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