FDN5630

概述

已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。
这非常低R DS（ON）的 MOSFET的小型SOT23封装。 飞兆半导体的PowerTrench技术，提供比其他具有可比性的R DS（ON）的规格的MOSFET的开关速度更快。 其结果是整体效率更高的电路板空间更少。

特点

1.7 A，60 V的R DS（ON）= 0.100 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.120 W @ V GS = 6 V 。
在高频DC / DC转换器的使用进行了优化。
低栅极电荷。
非常快速的切换。
SuperSOT™ - 3提供低R DS（ON），SOT23封装足迹。

应用/框图（S）

DC / DC转换器
马达驱动器

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