FDN357N

概述

SuperSOT™-3 N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 这些器件特别适合笔记本电脑，手提电话，PCMCIA卡，和其它电池供电的电路，快速开关，线路功率损耗低需要在一个非常小的轮廓表面贴装封装的低电压应用。

特点

1.9一个，30 V，R DS（ON）= 0.090 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.060 W @ V GS = 10 V。
工业标准大纲的SOT - 23表面贴装封装采用专有SuperSOT™-3优越的热性能和电气功能的设计。
非常低R DS（ON），高密度的单元设计。
电阻和最大直流电流能力的特殊。

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