FDN339AN

概述

这N沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

特点

3 A，20 V R DS（ON）= 0.035 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.050 W @ V GS = 2.5 V。
低栅极电荷（7nC典型值）。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
高功率和电流处理能力。

应用/框图（S）

DC / DC转换器
负荷开关

应用笔记

AN - 7008：FPF200X评估模块 （824 K）8月05， 2011

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