FDN327N

概述

此20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。 它已被优化电源管理应用。

特点

20 V，2 A
R DS（ON）= 70 m宽的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 80 m宽的V GS = 2.5V
R DS（ON）= 120 m宽的V GS = 1.8V
低栅极电荷
开关速度快
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）

应用/框图（S）

负荷开关
电池保护
电源管理

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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