FDN308P

概述
这P沟道2.5V指定的MOSFET使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺坚固的门版本。 它已被优化的栅极驱​​动电压范围广（2.5V - 12V）电源管理应用。

特点
一个-20，-1.5 V。
R DS（ON）= 125 m宽@ VGS = -4.5 V
R DS（ON）= 190 m宽@ VGS = -2.5 V
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
SuperSOT™-3提供低R DS（ON）和30％更高的功率比SOT23封装，在相同的空间处理能力

应用/框图（S）
电源管理
负荷开关
电池保护

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。