FDN306P

概述

这种P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench过程。 电池电源管理应用进行了优化。

特点

-2.6 A，12 V
R DS（ON）= 40 m宽的V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 50 m宽的V GS = -2.5 V
R DS（ON）= 80 m宽的V GS = -1.8 V
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
SuperSOT™-3提供低R DS（ON）和30％更高的功率比SOT23封装，在相同的空间处理能力

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关
电池保护

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。