概述
这种P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench过程。 电池电源管理应用进行了优化。
特点
- 2.4A,- 20V
R DS(ON)= 52 m宽的V GS = 4.5V
R DS(ON)= 70 m宽的V GS = 2.5V
R DS(ON)= 100 m宽的V GS = 1.8V
开关速度快
ESD保护二极管
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
SuperSOT™-3提供低R DS(ON)和30%更高的功率比SOT23封装,在相同的空间处理能力
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。