FDMS8622

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽®进程，已优化的R DS（ON）开关性能和耐用性生产。

特点 

最大R DS（ON）= 56MΩ在V GS = 10V，I D = 4.8一个
最大R DS（ON）= 88MΩ在V GS = 6伏，I D = 3.9一个
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
100％UIL的测试
终止是无铅和符合RoHS

应用/框图（S） 

POE保护开关
DC - DC开关

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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