FDMS86200

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点

最大R DS（ON）= 18MΩ在V GS = 10V，I D = 9.6一个
最大R DS（ON）= 21MΩ在V GS = 3.6 V，I D = 8.8一个
低R DS（on）和高效率的先进的封装和硅结合
MSL1健壮的包装设计
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC - DC转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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