FDMS7700S

概述

该器件包括两个专门在一个双MLP package.The开关节点的N沟道MOSFET，已在内部连接，方便放置和同步降压转换器的路由。 控制MOSFET（Q1）和synchronousSyncFET（Q2）已设计提供最佳的电源效率。

特点

问题1：N沟道
最大R DS（ON）= 7.5MΩ在V GS = 10V，I D = 12
最大R DS（ON）= 12MΩ在V GS = 4.5V，I D = 10一个
问题2：N沟道
最大R DS（ON）= 2.8MΩ在V GS = 10V，I D = 20
最大R DS（ON）= 3.3MΩ在V GS = 4.5V，I D = 18 A
符合RoHS标准

应用/框图（S）

计算
通讯
通用负载点
笔记本V内核

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