概述
这N沟道MOSFET已专为提高整体效率,并最大限度地减少直流/直流转换器的开关节点振铃,使用同步或传统开关的PWM controllers.It已优化的低栅电荷,低 R DS(ON),开关速度快昂体内二极管的反向恢复性能。
特点
最大R DS(ON)= 8MΩ在V GS = 10V,I D = 14A条
最大R DS(ON)= 13MΩ在V GS = 4.5V,I D = 11A
低R DS(on)和高效率的先进的封装和硅结合
下一代增强机体二极管技术,软恢复工程
MSL1健壮的包装设计
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
IMVP Vcore电压开关,用于笔记本
VRM的核心电压开关用于台式机和服务器
OringFET /负载开关
DC - DC转换
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。