概述
这N沟道MOSFET已专门设计,提高整体效率,并尽量减少使用同步或常规的开关PWM控制器的DC / DC转换器开关节点振铃。 低栅电荷,低RDS(ON)开关速度快和体二极管反向恢复性能,进行了优化。
特点
最大R DS(ON)= 3.8MΩ在V GS = 10V,I D = 21
最大R DS(ON)= 5.0MΩ在V GS = 4.5 V时,I D = 17一个
低R DS(ON)和高效率的先进的封装和芯片设计
下一代增强机体二极管技术,软恢复工程。 在同步降压转换器应用提供最低的EMI肖特基样表现。
MSL1健壮的包装设计
100%UIL的测试
符合RoHS标准
应用/框图(S)
IMVP Vcore电压开关,用于笔记本
台式机和服务器VRM的核心电压开关
OringFET /负荷开关
DC - DC转换
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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