FDMS7606

概述

该器件包括两个专门在双MLP封装的N沟道MOSFET。 开关节点已在内部连接，方便放置和同步降压转换器的路由。 控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（Q2）已设计提供最佳的电源效率。

特点

问题1：N沟道

最大R DS（ON）= 11.4MΩ在V GS = 10V，I D = 11.5一个
最大R DS（ON）= 15.7MΩ在V GS = 4.5V，I D = 10

问题2：N沟道

最大R DS（ON）= 11.6MΩ在V GS = 10V，I D = 12
最大R DS（ON）= 17.2MΩ在V GS = 4.5V，I D = 9.5
符合RoHS标准

应用/框图（S）

计算
通讯
通用负载点
笔记本充电器

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