概述
该器件包括两个专门在一个双MLP package.The开关节点的N沟道MOSFET,已在内部连接,方便放置和同步降压转换器的路由。 控制MOSFET(Q1)和synchronousSyncFET(Q2)已设计提供最佳的电源效率。
特点
问题1:N沟道
最大R DS(ON)= 7.5 MO在V GS = 10V,I D = 12
最大R DS(ON)= 12个月,在V GS = 4.5V,I D = 10
问题2:N沟道
最大R DS(ON)= 5.0 MO在VGS = 10V,ID = 17
最大R DS(ON)= 6.8 MO在VGS = 4.5 V,ID = 14
符合RoHS标准
应用/框图(S)
计算
通讯
通用负载点
笔记本电脑的VCORE
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