概述
P沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中,已特别针对减少通态电阻。 此设备是非常适合的电源管理和负载开关应用常见于笔记本电脑和便携式电池包。
特点
最大R DS(ON)= 20MΩ在V GS = 10 V,I D = -9.0一个
最大R DS(ON)= 37MΩ在V GS = -4.5 V,I D = -6.5一个
扩展VGSS电池的应用范围(-25 V)
高性能沟槽技术非常低R DS(ON)
高功率和电流处理能力
HBM ESD保护水平> 7千伏典型(注4)
100%UIL的测试
终止是无铅和符合RoHS
应用/框图(S)
在DC - DC降压转换器的高侧
笔记本电池电源管理
在笔记本电脑的负荷开关
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