FDMS3604AS

概述

该器件包括两个专门在双PQFN封装的N沟道MOSFET。 开关节点已在内部连接，方便放置和同步降压转换器的路由。 控制MOSFET（Q1）和synchronousSyncFET（Q2）已设计提供最佳的电源效率。

特点

问题1：N沟道

最大R DS（ON）= 8MΩ在V GS = 10V，I D = 13一个
最大R DS（ON）= 11MΩ在V GS = 4.5V，I D = 11

问题2：N沟道

最大R DS（ON）= 2.6MΩ在V GS = 10V，I D = 23
最大R DS（ON）= 3.5MΩ在V GS = 4.5V，I D = 21
低电感封装缩短了上升/下降时间，更低的开关损耗
MOSFET的集成，使最佳的布局，降低线路电感和减少开关节点的振铃
符合RoHS标准

应用/框图（S） 
 
计算
通讯
通用负载点
笔记本电脑的VCORE

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