FDMS2508SDC

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程。 在硅和双酷™封装技术的进步，已被合并， 提供最低的R DS（ON），同时保持极低的结点到环境的热阻出色的开关性能。 该器件具有一个有效率的单片肖特基体二极管的额外的好处。

特点

双酷™顶部冷却PQFN封装
最大R DS（ON）= 1.95MΩ在V GS = 10V，I D = 28
最大R DS（ON）= 2.85MΩ在V GS = 4.5V，I D = 22
高性能技术非常低R DS（ON）
SyncFET肖特基体二极管
符合RoHS标准

应用/框图（S） 
 
同步整流为直流/直流转换器
电信二次侧整流
高端服务器/工作站Vcore电压低侧

应用笔记

AN - 9056：使用飞兆半导体双酷™MOSFET的 （408 K）8月05， 2011

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