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描述
DrMOS XS™的家庭,ultra-compact飞兆半导体的下一代fullyoptimized、集成MOSFET加上司机强权阶段解决方案的高电流,高频率同步降压片直流-直流应用。DrMOS™的FDMF6704V XS整合两个功率mosfet驱动IC卡,和拔靴法置肖特基二极管作随着集成5 V的栅极驱动LDO调节器进入一个热增强,超紧凑6毫米的x 6毫米的这种包装。用一套综合的方法,最完整的能量转换阶段的优化设计提供了关于司机和MOSFET的动态性能,系统电路中的电感和关系型数据库(在)之上。这大大减少了包装parasitics和布局与传统的离散方案带来的挑战。DrMOS XS™使用飞兆半导体的高性能PowerTrench™5场效应晶体管技术,这种戏剧性地减少转炉应用在汨同步巴克。PowerTrench™5可以消除需要一个缓冲电路在巴克的转换器的应用。司机IC融合了先进功能,如SMOD轻负荷时,为提高效率和三州PWM输入为兼容性与广泛的PWM控制器。一个5 V的栅极驱动和一种改进的PCB接口,优化为最大低端FET区域,确保暴露垫具有更高的性能。本产品是兼容与新英特尔6毫米×6毫米DrMOS规格。
特征
内部的12v到5 V调节器。
介绍了多芯片组件加上FET同步驱动。
高电流处理35。
超过93%最高效率。
三州PWM输入。
飞兆半导体的PowerTrench®mosfet为乾净5技术和降低电压波形响了。
对于优化高开关频率时1兆赫。
SMOD跳过模式[低端门关掉]的输入。
SyncFET™费雅嘉置肖特基二极管作][集成技术在低端MOSFET。
直译:置肖特基二极管作整合。
自适应的栅极驱动的定时shoot-through保护。
[DISB驱动器输出伤残功能#销]。
(UVLO支路上的低电压锁定)。
绿色包装设计、RoHS费雅嘉兼容。低调SMD的包裹。
应用程序/框图
V-core紧凑、无V-core刀片服务器和VTT片直流-直流转换器。
V-core、非V-core台式电脑和VTT片直流-直流转换器。
V-core、非V-core工作站和VTT片直流-直流转换器。
V-core、非V-core游戏主板和VTT片直流-直流转换器。
游戏平台。
支大电流片直流-直流点载荷(油料)转换器。
网络和电信微处理器电压调节器。
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