FDME410NZT

概述

这单N沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽过程特殊的MicroFET引线框架，以优化的D S（ON）@ V GS = 1.5 V的。

特点

最大R DS（ON）= 26MΩ在V GS = 4.5V，I D = 7一
最大R DS（ON）= 31MΩ在V GS = 2.5V，I D = 6一个
最大R DS（ON）= 39MΩ在V GS = 1.8V，I D = 5一
最大R DS（ON）= 39MΩ在V GS = 1.8V，I D = 5一
低调：在新封装的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
无卤素化合物和氧化锑
HBM ESD保护水平> 1800V（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

锂离子电池
基带开关
负荷开关
DC - DC转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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