FDME1024NZT

概述

此设备是专为双开关要求在蜂窝手机和其他超便携应用的单一封装解决方案。 它具有两个独立的N沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。
这些MicroFET 1.6x1.6薄的封装提供了卓越的热性能和它的物理尺寸，开关和线性模式的应用程序非常适合。

特点

最大R DS（ON）= 66MΩ在V GS = 4.5V，I D = 3.4
最大R DS（ON）= 86MΩ在V GS = 2.5V，I D = 2.9一个
最大R DS（ON）= 113MΩ，在V GS = 1.8V，I D = 2.5
最大R DS（ON）= 160MΩ，在V GS = 1.5 V，I D = 2.1一个
低调：在新封装的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
无卤素化合物和氧化锑
HBM ESD保护水平> 1600V（注3）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

基带开关
负荷开关

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