概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其他超便携式应用的电池充电开关的单一封装解决方案。 它具有两个独立的P沟道MOSFET与低通态电阻最低的导通损耗。 在典型的共同源配置连接时,双向电流流是可能的。 这些MicroFET 1.6x1.6薄的封装提供了卓越的热性能和它的物理尺寸,开关和线性模式的应用程序非常适合。
特点
最大R DS(ON)= 142 MO在V GS = -4.5 V,I D = -2.3一个
最大R DS(ON)= 213 MO在V GS = -2.5 V,I D = -1.8一个
最大R DS(ON)= 331 MO在V GS = -1.8 V时,I D = -1.5一个
最大R DS(ON)= 530 MO在V GS = -1.5 V,I = -1.2一个
低调:在新封装的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
无卤素化合物和氧化锑
HBM ESD保护水平> 1600V(注3)
符合RoHS标准
应用/框图(S)
负荷开关
电池充电
电池断开开关
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