FDMC8882

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中，已特别针对减少通态电阻。 此设备是非常适合的电源管理和负载开关应用常见于笔记本电脑和便携式电池包。

特点

最大R DS（ON）= 14.3MΩ在V GS = 10V，I D = 10.5
最大R DS（ON）= 22.5MΩ在V GS = 4.5V，I D = 8.3
高性能技术非常低R DS（ON）
终止是无铅和符合RoHS

应用/框图（S）

高压侧直流 - 直流降压转换器
笔记本电池电源管理
在笔记本电脑的负荷开关

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