FDMC8878

概述
这N沟道MOSFET飞兆半导体先进的功率沟槽过程是一个坚固的门版本。 它已被优化电源管理应用。

特点
最大R DS（ON）=14mΩ，在V GS = 10V，I D = 9.6A
最大R DS（ON）=17mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 8.7A
薄型- 1mm的最大功率33
符合RoHS标准

应用/框图（S）
直流 - 直流转换

应用笔记

AN - 9040：Power33包装大会指南 （302 K）8月05， 2011

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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