FDMC86102

概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进功率沟槽®过程中已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点
最大R DS（ON）= 24MΩ在V GS = 10V，I D = 7一
最大R DS（ON）= 38mΩat的V GS = 6伏，I D = 5一
薄型 - 1 mm最大功率33
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）
直流 - 直流转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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