FDMC8554

概述
这N沟道MOSFET飞兆半导体先进的功率沟槽过程是一个坚固的门版本。 它已被优化的开关性能和超低RDSON。

特点
最大R DS（ON）=5MΩ在V GS = 10V，I D = 16.5A
最大R DS（ON）=6.4mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 14A条
薄型 - 1毫米中的MicroFET 3.3x3.3毫米的最大
符合RoHS标准

应用/框图（S）
同步整流
“或”场效应管
POL整流器

应用笔记
AN - 9040：Power33包装大会指南 （302 K），2011年08月12日

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