FDMC6675BZ

概述

FDMC6675BZ已被设计在负载开关应用中，以尽量减少损失。 硅和封装技术的进步，已被合并，以提供最低的R DS（on）和ESD保护。

特点

最大R DS（ON）= 14.4MΩ在V GS = 10V，I D = 9.5A
最大R DS（ON）= 27.0MΩ在V GS = 4.5V，I D = 6.9A
HBM ESD 8kV的典型（注3）保护级别
扩展V GSS电池的应用范围（- 25V）
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
高功率和电流处理能力
终止是无铅和符合RoHS

应用/框图（S）

负载开关在笔记本电脑和服务器
笔记本电池电源管理

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