FDMC2610

概述

这N沟道MOSFET飞兆半导体先进的功率沟槽过程是一个坚固的门版本。 它已被优化电源管理应用。

特点

最大R DS（ON）=200MΩ，V GS = 10V，I D = 2.2A
最大R DS（ON）=215mΩ，在V GS = 6V，I D = 1.5A
薄型 - 1毫米中的MicroFET 3.3 × 3.3毫米的最大
符合RoHS标准
直流 - 直流转换

应用笔记

AN - 9040：Power33包装大会指南 （302 K），2011年08月12日

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。