概述
这些P沟道MOSFET增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。 这种先进的技术已被特别定制,以最大限度地减少通态电阻,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合低电压应用,如音频放大器,高效率的开关直流/直流转换器,直流电动机的控制。
特点
低C RSS(典型值10pF的)
快速切换
低栅极电荷(典型值6.2 NC)
改进的dv / dt能力
符合RoHS标准
应用/框图(S)
有源钳位开关
应用笔记
AN - 9040:Power33包装大会指南 (302 K)8月05, 2011
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