FDMC15N06

概述
这些N沟道功率MOSFET的制造使用的创新UItraFET过程中。 这种先进的工艺技术，实现了尽可能最低的每硅片面积上的电阻，优秀的performance.This设备能够在雪崩模式和二极管承受高能量的展品非常低的反向恢复时间，储存的电荷。 它是专为电源效率是非常重要的应用场合，如开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压总线开关，在便携式和电池供电产品的电源管理，使用。

特点
的R DS（ON）=0.075Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 15A
100％的雪崩测试
符合RoHS标准

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