概述
此设备是专门为在蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电或负载开关。 它具有一个体育场阻力低MOSFET。
其物理尺寸的MicroFET 2X2包提供卓越的热perfomance和线性模式的应用程序非常适合。
特点
最大R DS(ON)= 24MΩ在V GS = 5 V,I D = -7.8一个
最大R DS(ON)= 25MΩ在V GS = -4.5 V,I D = -7一个
最大R DS(ON)= 35MΩ在V GS = -2.5 V,I D = -5.5一个
最大R DS(ON)= 45MΩ在V GS = -1.8 V,I D = -4一
薄型封装的MicroFET 2X2毫米 - 0.8毫米最大 -
HBM ESD保护水平> 3.2KV典型(注3)
无卤素化合物和氧化锑
符合RoHS标准
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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