FDMA410NZ

概述

这单N沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽过程特殊的MicroFET引线框架，以优化的R DS（ON）@ V GS = 1.5 V的。

特点

最大R DS（ON）= 23MΩ在V GS = 4.5V，I D = 9.5
最大R DS（ON）= 29MΩ在V GS = 2.5V，I D = 8.0一个
最大R DS（ON）= 36MΩ在V GS = 1.8V，I D = 4.0一个
最大R DS（ON）= 50MΩ在V GS = 1.5V，I D = 2.0 A
HBM ESD保护水平> 2.5千伏（注3）
在新封装的MicroFET的2x2毫米的薄型0.8毫米的最大
符合RoHS标准

应用/框图（S）

锂离子电池
基带开关
负荷开关
DC - DC转换

应用笔记

AN - 0953：大会的MicroFET 2X2包装准则 “（133 K）2011年8月12日，

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