FDMA0104

概述

这单N沟道MOSFET的设计采用了飞兆半导体先进的功率沟槽®过程特殊的MicroFET引线框架，以优化的R DS（ON）@ V GS = 1.5 V的。

特点

最大R DS（ON）= 14.5MΩ在V GS = 4.5V，I D = 9.4
最大R DS（ON）= 18.2MΩ在V GS = 2.5V，I D = 8.3
最大R DS（ON）= 23.3在V GS = 1.8V，I D = 7.3MΩ
最大R DS（ON）= 32.3MΩ在V GS = 1.5V，I D = 6.2一个
在新封装的MicroFET的2x2毫米的薄型0.8毫米的最大
符合RoHS标准

应用/框图（S）

锂离子电池
DC - DC降压转换器

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