概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程,已特别针对降低通态电阻,同时保持出色的开关性能。
特点
的R DS(ON)=4.8mΩ(典型值)@ V GS = 10V,I D = 120A
开关速度快
低栅极电荷
极低的R DS(ON)的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准
应用/框图(S)
直流到直流转换器
服务器/电信电源的同步整流
电池充电器
交流电机驱动器和不间断电源
后备式UPS
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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