FDG6322C

概述

这些双N＆P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计，尤其是作为替代双极数字晶体管和小信号MOSFET的低电压应用。 由于不需要偏置电阻，这双数字FET可以代替几个不同的数字晶体管，不同的偏置电阻值。

特点

N - CH 0.22 A，25 V，R DS（ON）= 4.0 W @ V GS = 4.5V，R DS（ON）= 5.0 W @ V GS = 2.7 V 。
P - CH -0.41，- 25V，R DS（ON）= 1.1 W @ V GS = 4.5V，R DS（ON）= 1.5 W @ V GS = - 2.7V。
非常小的封装外形采用SC70 - 6。
非常低的水平栅极驱动的要求，允许在3伏电路（VGS（TH）<1.5 V）的直接操作。
门源齐纳ESD坚固性（> 6kV的人体模型）。

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