FDG6318PZ

概述
这些双P沟道逻辑电平增强型MOSFET的生产，使用飞兆半导体的特别定制，以最大限度地减少通态电阻。 本设备已经过特别设计的数字双极晶体管和小信号MOSFET

特点
- 0.5A，- 20V
R DS（ON）= 780 m宽的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 1200 m宽的V GS = 2.5V
非常低的水平允许直接操作在3V电路（VGS（TH）的 <1.5V）的栅极驱动要求。
门源齐纳ESD坚固性（> 1.4kV人体模型）。
紧凑型的行业标准SC - 70 - 6表面贴装封装。

应用/框图（S）
电池管理

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