FDG6317NZ

概述

这双N沟道MOSFET专门设计，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的小开关稳压器的使用，在一个小型封装提供极低的R DS（ON）和栅极电荷（Qg） 。

特点

0.7A，20V
R DS（ON）= 400 m宽的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 500 m宽的V GS = 2.5V
ESD保护二极管（注3）
低栅极电荷
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装

应用/框图（S）

DC / DC转换器
电源管理
Loadswitch

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