FDG330P

概述
这种P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench过程。 电池电源管理应用进行了优化。

特点
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- 2A，- 12V。
R DS（ON）=110米W @ V GS = 4.5V
R DS（ON）=150米W @ V GS = 2.5V
R DS（ON）=215米W @ V GS = 1.8V
低栅极电荷
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装

应用/框图（S）
电池管理
负荷开关

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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