FDG328P

概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体先进的PowerTrench过程中产生的。 它已被优化的栅极驱​​动电压范围广（2.5V - 12V）电源管理应用。

特点
-1.5 A，-20 V。
R DS（ON）= 0.145 W @ V GS = -4.5 V

R DS（ON）= 0.210 W @ V GS = -2.5 V
低栅极电荷
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装

应用/框图（S）
负荷开关
电源管理
DC / DC转换器

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