FDG316P

概述
这P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。
这些器件非常适用于低压和电池供电应用的低线的功率损耗和快速开关所需。

特点
-1.6一-30一诉R DS（ON）= 0.19 W @ V GS = -10 V 。
的R DS（ON）= 0.30 W @ V GS = -4.5 V 。
低栅极电荷（3.5nC的典型）。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装。

应用/框图（S）
DC / DC转换器
负荷开关
电源管理

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。