FDG311N

概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。 这些器件非常适合于便携式电子产品的应用。

特点
1.9 20 V，R DS（ON）= 0.115 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.150 W @ V GS = 2.5 V。
低栅极电荷（3NC典型值）。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
紧凑型的行业标准采用SC70 - 6表面贴装封装。

应用/框图（S）
负荷开关
电源管理
DC / DC转换器

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