FDFMA2P853T

描述

该设备是专门设计作为一个单一的整体包装解决方案为电池充电开关在手机和其他ultra-portable应用。它的特点是能够以较低的场效应晶体管导通状态阻力和独立连接低正向电压置肖特基二极管作最低传导损失。

它的MicroFET薄套装提供非凡的热工性能,因为它’s物理尺寸和都适合线性模式应用程序。

特征

• 马克斯关系型数据库(在)= 120米吗?在–VGS = =–4.5 V、身份证3.0
• 马克斯关系型数据库(在)= 160米吗?在–VGS = =–2.5 V、身份证2.5 A
• 马克斯关系型数据库(在)= 240米吗?在–VGS = =–1.8 V、身份证1.0
肖特基:
• VF < 0.46 V @ 500麻
• 低轮廓- 0.55 mm最大-在新包装,它MicroFET瘦
• RoHS柔顺