FDFMA2N028Z-集成的N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 -润百年,FAIRCHILd代理,库存供应商

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产品型号：
FDFMA2N028Z

产品名称：集成的N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管

生产厂商：FAIRCHILd

封装类别：MLP-6

产品批号：10+

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库存数量：有库存

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付款方式：支付宝，微信，网银支付，公司美金账户

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描述

该设备是专门设计作为一个单一的整体包装解决方案为提高拓扑结构在手机和其他ultra-portable应用。它的特点是能够以较低的场效应晶体管导通状态的抵抗力,连接置肖特基二极管作一种自主正向电压较低。

它的MicroFET套装提供特殊热工性能对它的物理尺寸和都适合交换和线性模式应用程序。

特征

MOSFET

马克斯关系型数据库(在)= = 4.5V在68mΩVGS,身份证= 3.7A

马克斯关系型数据库(在)= = 2.5V在86mΩVGS,身份证= 3.3A

恒ESD保护水平2kV >(注3)

肖特基

VF < 0.37V @ 500毫安

低轮廓- 0.8毫米最大-在新包装,它MicroFET毫米

RoHS柔顺

应用程序/框图

片直流-直流转换

全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价
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