FDD8780

概述

已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点

最大R DS（ON）=8.5mΩ，在V GS = 10V，I D = 35A
最大R DS（ON）=12.0mΩ在V GS = 4.5V，I D = 35A
低栅极电荷Q G（10）= 21nC（典型值），V GS = 10V
低栅极电阻
额定雪崩和100％测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

台式电脑和服务器的核心电压的DC - DC
VRM为中间总线架构

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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