FDD8647L

概述

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench ®技术，可提供低R DS（on）和优化的BV DSS提供优越的性能优势，在应用程序的能力已经产生。

特点

最大R DS（ON）= 9MΩ在V GS = 10V，I D = 13
最大R DS（ON）= 13mΩat的V GS = 4.5V，I D = 11一个
快速切换
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

 
逆变器
电源供应器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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