FDD86102

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽®进程，已优化的R DS（ON）开关性能和耐用性生产。

特点

最大R DS（ON）= 24个月，在V GS = 10V，I D = 8一
最大R DS（ON）= 38 MO在V GS = 6伏，I D = 6一个
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
竞争沟槽技术相比，非常低的Qg和Qgd
开关速度快
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

直流 - 直流转换

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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