FDD8451

概述
已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化，低栅极电荷，快速的开关速度和非常低R DS（ON） 。

特点
最大R DS（ON）=24mΩ，在V GS = 10V，I D = 9A
最大R DS（ON）=30mΩatV GS = 4.5V，I D = 7A
低栅极电荷
快速切换
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
符合RoHS标准

应用/框图（S）
DC / DC转换器
背光逆变器

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