FDD6637

概述
已生产这种P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench技术，可提供低导通电阻和优化BVDSS能力中的应用提供卓越的性能优势。

特点
-55一，-35 V
R DS（ON）= 11.6MΩ@ V GS = 10 V
R DS（ON）= 18MΩ@ V GS = -4.5 V
极低的R DSON高性能沟槽技术
符合RoHS标准

应用/框图（S）
逆变器
电源供应器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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