FDD6635

概述

已制作此N沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench技术，可提供低Rdson和优化BVDSS能力中的应用提供卓越的性能优势。

特点

59，35V
最大R DS（ON）= 10MΩ@ V GS = 10V
最大R DS（ON）= 13MΩ@ V GS = 4.5V
快速切换
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
电源供应器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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